NTE229 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 30V
Frecuencia - Transición: 500MHz
Figura de ruido (dB típico a f): 6dB @ 45MHz
Ganar: 28dB
Potencia - Máxima: 425mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 50mA
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-92