NTE329 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 30V
Frecuencia - Transición: -
Figura de ruido (dB típico a f): -
Ganar: 10dB
Potencia - Máxima: 5W
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 10 @ 400mA, 2V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 1A
Temperatura de funcionamiento: -
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-39