NTE395 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: PNP
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 25V
Frecuencia - Transición: 2.3GHz
Figura de ruido (dB típico a f): 2.5dB ~ 4dB @ 200MHz ~ 800MHz
Ganar: 16dB
Potencia - Máxima: 225mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 20 @ 10mA, 10V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 50mA
Temperatura de funcionamiento: 200°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-72