NTE65 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 15V
Frecuencia - Transición: 5GHz
Figura de ruido (dB típico a f): 2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz
Ganar: 18dB
Potencia - Máxima: 180mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 25 @ 14mA, 10V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 30mA
Temperatura de funcionamiento: -
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 3-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor: 3-SMD