NTE16003 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 40V
Frecuencia - Transición: 500MHz
Figura de ruido (dB típico a f): -
Ganar: -
Potencia - Máxima: 11.6W
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: -
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 1.5A
Temperatura de funcionamiento: -65°C~200°C(TJ)
Tipo de montaje: Stud Mount
Paquete/Caja: TO-212MA, TO-210AB, TO-60-4, Stud
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-60