NTE77 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 30V
Frecuencia - Transición: 1.8GHz
Figura de ruido (dB típico a f): 2.7dB ~ 7dB @ 200MHz ~ 216MHz
Ganar: 7.2dB
Potencia - Máxima: 3.5W
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 30 @ 50mA, 15V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 400mA
Temperatura de funcionamiento: 200°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-39