NTE316 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 15V
Frecuencia - Transición: 1.4GHz
Figura de ruido (dB típico a f): 4.5dB @ 450MHz
Ganar: 15dB
Potencia - Máxima: 200mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 25 @ 2mA, 5V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 50mA
Temperatura de funcionamiento: -
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-72