NTE15 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 19V
Frecuencia - Transición: 1.1GHz
Figura de ruido (dB típico a f): -
Ganar: -
Potencia - Máxima: 300mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 39 @ 5mA, 10V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 50mA
Temperatura de funcionamiento: 125°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: 3-SIP
Paquete de dispositivo del proveedor: 3-SIP