NTE313 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 30V
Frecuencia - Transición: 530MHz
Figura de ruido (dB típico a f): 2.5dB @ 200MHz
Ganar: 23dB
Potencia - Máxima: 150mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 20 @ 2mA, 10V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 20mA
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 3-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor: 3-SMD