NTE295 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 75V
Frecuencia - Transición: 250MHz
Figura de ruido (dB típico a f): -
Ganar: -
Potencia - Máxima: 750mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 1A
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-225AA, TO-126-3
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-126