MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 5.3V
Frecuencia - Transición: 11.2GHz
Figura de ruido (dB típico a f): 1.45dB @ 1GHz
Ganar: 12.5dB
Potencia - Máxima: 900mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 100mA
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 3-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor: UFM
Número de producto base: MT3S113