NSTB1002DXV5T1G onsemi Transistores bipolares (BJT) - Matrices prepolarizadas

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, 200mA
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 50V, 40V
Resistencia - Base (R1): 47kOhms
Resistencia - Base Emisor (R2): 47kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Corriente de corte del colector (máx.): 500nA
Frecuencia - Transición: 250MHz
Potencia - Máxima: 500mW
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-553
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-553
Número de producto base: NSTB1002