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IMD10AMT1G onsemi Transistores bipolares (BJT) - Matrices prepolarizadas

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 500mA
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 50V
Resistencia - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistencia - Base Emisor (R2): 10kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Corriente de corte del colector (máx.): 500nA
Frecuencia - Transición: -
Potencia - Máxima: 285mW
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SC-74, SOT-457
Paquete de dispositivo del proveedor: SC-74R
Número de producto base: IMD10

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