RN1708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores bipolares (BJT) - Matrices prepolarizadas

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 100mA
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 50V
Resistencia - Base (R1): 22kOhms
Resistencia - Base Emisor (R2): 47kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente de corte del colector (máx.): 500nA
Frecuencia - Transición: 250MHz
Potencia - Máxima: 100mW
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-553
Paquete de dispositivo del proveedor: ESV
Número de producto base: RN1708