PEMB4,115 NXP USA Inc. Transistores bipolares (BJT) - Matrices prepolarizadas

Fabricante: NXP USA Inc.
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 100mA
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 50V
Resistencia - Base (R1): 10kOhms
Resistencia - Base Emisor (R2): -
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Corriente de corte del colector (máx.): 1µA
Frecuencia - Transición: -
Potencia - Máxima: 300mW
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-666