PBLS1502Y,115 NXP USA Inc. Transistores bipolares (BJT) - Matrices prepolarizadas

Fabricante: NXP USA Inc.
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, 500mA
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 50V, 15V
Resistencia - Base (R1): 4.7kOhms
Resistencia - Base Emisor (R2): 4.7kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
Corriente de corte del colector (máx.): 1µA, 100nA
Frecuencia - Transición: 280MHz
Potencia - Máxima: 300mW
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-363