RN1973(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores bipolares (BJT) - Matrices prepolarizadas

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 100mA
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 50V
Resistencia - Base (R1): 47kOhms
Resistencia - Base Emisor (R2): -
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente de corte del colector (máx.): 100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición: -
Potencia - Máxima: 200mW
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor: US6
Número de producto base: RN1973