HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage Transistores bipolares (BJT) - Matrices

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Cut Tape (CT)
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: 2 NPN (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 150mA
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 50V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Corriente de corte del colector (máx.): 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Potencia - Máxima: 300mW
Frecuencia - Transición: 800MHz
Temperatura de funcionamiento: 125°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SC-74, SOT-457
Paquete de dispositivo del proveedor: SM6
Número de producto base: HN1C01