HBDM60V600X-7 Diodes Incorporated Transistores bipolares (BJT) - Matrices

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP (H-Bridge)
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 600mA, 500mA
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 60V, 80V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA, 500mV @ 50mA, 500mA
Corriente de corte del colector (máx.): 100nA, 50nA
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Potencia - Máxima: 200mW
Frecuencia - Transición: -
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-363