HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores bipolares (BJT) - Matrices

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: 2 NPN (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 300mA
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 20V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Corriente de corte del colector (máx.): 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Potencia - Máxima: 300mW
Frecuencia - Transición: 30MHz
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SC-74, SOT-457
Paquete de dispositivo del proveedor: SM6
Número de producto base: HN1C03