NTE2018 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) - Matrices

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: 8 NPN Darlington
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 600mA
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 50V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 1.6V @ 350mA, 500A
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: -
Potencia - Máxima: 1W
Frecuencia - Transición: -
Temperatura de funcionamiento: -20°C~85°C(TA)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: 18-DIP (0.300\ 7.62mm)
Paquete de dispositivo del proveedor: 18-PDIP