Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Voltaje - Ruptura (V(BR)GSS): 35 V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 35 V
Corriente - Drenaje (Idss) a Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
Voltaje - Corte (VGS desactivado) @ Id: 3 V @ 1 A
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: -
Resistencia - RDS(On): 30 Ohms
Potencia - Máxima: 625 mW
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-92
