APT35GP120B2DQ2G Microchip Technology IGBT individuales

Fabricante: Microchip Technology
Serie: POWER MOS 7®
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: PT
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 1200 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 96 A
Corriente - Colector Pulsado (Icm): 140 A
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
Potencia - Máxima: 543 W
Cambio de energía: 750µJ (on), 680µJ (off)
Tipo de entrada: Standard
Cargo por entrada: 150 nC
Td (encendido/apagado) a 25 °C: 16ns/95ns
Condición de prueba: 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-247-3 Variant
Número de producto base: APT35GP120