GT50N322A Toshiba Semiconductor and Storage IGBT individuales

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tray
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: -
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 1000 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 50 A
Corriente - Colector Pulsado (Icm): 120 A
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A
Potencia - Máxima: 156 W
Cambio de energía: -
Tipo de entrada: Standard
Td (encendido/apagado) a 25 °C: -
Condición de prueba: -
Tiempo de recuperación inversa (trr): 800 ns
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-3P-3, SC-65-3
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-3P(N)