RGT8NS65DGC9 Rohm Semiconductor IGBT individuales

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: Trench Field Stop
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 650 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 8 A
Corriente - Colector Pulsado (Icm): 12 A
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Potencia - Máxima: 65 W
Cambio de energía: -
Tipo de entrada: Standard
Cargo por entrada: 13.5 nC
Td (encendido/apagado) a 25 °C: 17ns/69ns
Condición de prueba: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr): 40 ns
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-262
Número de producto base: RGT8NS65