WG50N65DHJQ WeEn Semiconductors IGBT individuales

Fabricante: WeEn Semiconductors
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: Trench Field Stop
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 650 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 91 A
Corriente - Colector Pulsado (Icm): 200 A
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Potencia - Máxima: 278 W
Cambio de energía: 1.7mJ (on), 600µJ (off)
Tipo de entrada: Standard
Cargo por entrada: 160 nC
Td (encendido/apagado) a 25 °C: 66ns/163ns
Condición de prueba: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr): 105 ns
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247-3
Número de producto base: WG50N65D