GT20N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage IGBT individuales

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: -
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 1350 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 40 A
Corriente - Colector Pulsado (Icm): 80 A
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Potencia - Máxima: 312 W
Cambio de energía: -, 700µJ (off)
Tipo de entrada: Standard
Cargo por entrada: 185 nC
Td (encendido/apagado) a 25 °C: -
Condición de prueba: 300V, 40A, 39Ohm, 15V
Temperatura de funcionamiento: 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247