GT30N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage IGBT individuales

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: -
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 1350 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 60 A
Corriente - Colector Pulsado (Icm): 120 A
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A
Potencia - Máxima: 348 W
Cambio de energía: -, 1.3mJ (off)
Tipo de entrada: Standard
Cargo por entrada: 270 nC
Td (encendido/apagado) a 25 °C: -
Condición de prueba: 300V, 60A, 39Ohm, 15V
Temperatura de funcionamiento: 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247