VS-GT100TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division Módulos IGBT

Fabricante: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie: -
Paquete: Box
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: Trench Field Stop
Configuración: Half Bridge Inverter
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 650 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 96 A
Potencia - Máxima: 259 W
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
Corriente de corte del colector (máx.): 50 µA
Aporte: Standard
Termistor NTC: No
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: Module
Paquete de dispositivo del proveedor: INT-A-PAK IGBT