VS-GT75YF120UT Vishay General Semiconductor - Diodes Division Módulos IGBT

Fabricante: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie: -
Paquete: Box
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: Trench Field Stop
Configuración: Full Bridge
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 1200 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 118 A
Potencia - Máxima: 431 W
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
Corriente de corte del colector (máx.): 100 µA
Aporte: Standard
Termistor NTC: Yes
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: Module
Paquete de dispositivo del proveedor: -