FDG316P Fairchild Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Fairchild Semiconductor
Serie: PowerTrench®
Embalaje: Bulk
Estado de la pieza: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.6A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 5 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 165 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SC-88 (SC-70-6)
Paquete/Caja: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363