AUIRLR2703TRL International Rectifier FET individuales MOSFET

Fabricante: International Rectifier
Serie: HEXFET®
Embalaje: Bulk
Estado de la pieza: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 20A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 450 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: DPAK
Paquete/Caja: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63