MSC130SM120JCU2 Microchip Technology FET individuales MOSFET

Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Embalaje: Tube
Estado de la pieza: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 173A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 20V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.8V @ 2mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 464 nC @ 20 V
Vgs (máx.): +25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 6040 pF @ 1000 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 745W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-227 (ISOTOP®)
Paquete/Caja: SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base: MSC130