SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSIII
Embalaje: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado de la pieza: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.2A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.1V @ 100µA
Vgs (máx.): ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 245 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: UFM
Paquete/Caja: 3-SMD, Flat Leads
Número de producto base: SSM3K116