BTS131E3045ANTMA1 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: TEMPFET®
Embalaje: Bulk
Estado de la pieza: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 25A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 1mA
Vgs (máx.): ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1400 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 75W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: D2PAK
Paquete/Caja: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB