R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Embalaje: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado de la pieza: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 15V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 7V @ 800µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 410 pF @ 100 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 86W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-252
Paquete/Caja: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base: R6006