PJD50N10AL_L2_00001 Panjit International Inc. FET individuales MOSFET

Fabricante: Panjit International Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 29 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1485 pF @ 30 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-252
Paquete/Caja: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base: PJD50