TP65H300G4LSG-TR Transphorm FET individuales MOSFET

Fabricante: Transphorm
Serie: -
Paquete: Cut Tape (CT) Digi-Reel® Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6.5A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 8V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.6V @ 500µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Vgs (máx.): ±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 760 pF @ 400 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 21W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 3-PQFN (8x8)
Paquete/Caja: 3-PowerDFN
Número de producto base: TP65H300