ISC110N12NM6ATMA1 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??6
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 120 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 11A (Ta), 62A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 8V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.6V @ 35µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1400 pF @ 60 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3W (Ta), 94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación: -
Calificación: -
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SuperSO8
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Número de producto base: ISC110N