DMT10H009SCG-13 Diodes Incorporated FET individuales MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 30 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2085 pF @ 50 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: V-DFN3333-8 (Type B)
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN
Número de producto base: DMT10