SSM3J09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 200mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 3.3V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.8V @ 100µA
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 22 pF @ 5 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: USM
Paquete/Caja: SC-70, SOT-323
Número de producto base: SSM3J09