FDB1D7N10CL7 onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: PowerTrench®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 268A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 6V, 15V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 700µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 163 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 11600 pF @ 50 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-263 (D2PAK)
Paquete/Caja: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número de producto base: FDB1D7