NTHS5404T1G onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 5.2A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±12V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: ChipFET??