UPA2521T1H-T1-AT Renesas Electronics Corporation FET individuales MOSFET

Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 8A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 780 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-VSOF
Paquete/Caja: 8-SMD, Flat Lead