IRF6717MTRPBF Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.35V @ 150µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 6750 pF @ 13 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: DIRECTFET??MX
Paquete/Caja: DirectFET??Isometric MX
Número de producto base: IRF6717