VN3205N3-G Microchip Technology FET individuales MOSFET

Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.2A (Tj)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.4V @ 10mA
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 300 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-92-3
Paquete/Caja: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base: VN3205