BSC070N10LS5ATMA1 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??5
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.3V @ 49µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2700 pF @ 50 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TDSON-8-7
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Número de producto base: BSC070