SSM3J372R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVI
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.2V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): +6V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 560 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-23F
Paquete/Caja: SOT-23-3 Flat Leads