IRFH5255TRPBF International Rectifier FET individuales MOSFET

Fabricante: International Rectifier
Serie: HEXFET®
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 15A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.35V @ 25µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 988 pF @ 13 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3.6W (Ta), 26W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-PQFN (5x6)
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN