SIB433EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix FET individuales MOSFET

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 9A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 21 nC @ 8 V
Vgs (máx.): ±8V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerPAK® SC-75-6
Paquete/Caja: PowerPAK® SC-75-6
Número de producto base: SIB433